CMOS論理回路の充放電電流および貫通電流による消費電力の解析
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概要
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ディジタル論理ゲート回路の消費電力を簡単に見積もる手法を確立するために、負荷容量の充放電電流による消費電力(P_D)、インバータの貫通電流による消費電力(P_S)の特性をSPICEの結果ならびに試作チップの実測結果を用いて考察した.P_Sは入力電圧の立ち上がり、立ち下がり時問(t)、負荷容量(C)、電源電圧、しきい値電圧、等の関数であることを示す.次に、見積もりが不可能なtやCに替えて、既知であるドライバのファンアウト数(m)や対象論理ゲートのファンアウト数(n)を用いて、P_D、P_Sを定式化したことを示す.NAND、NOR、等のP_D、P_Sを定式化すれば、CADツールを用いずに、CMOS大規模論理回路のP_D、P_Sを容易に見積もることが可能となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-11-23
著者
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
鹿野 裕明
中央大学理工学部情報工学科
-
鹿野 裕明
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
原田 知親
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
-
原田 知親
中央大学大学院理工学研究科情報工学
-
榎本 忠儀
中央大学大学院理学部研究科情報工学専攻
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