Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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Mixed Signal CMOSに最適なHfSiONゲート絶縁膜の検討を行った。最適化によりVthマッチング及びflicker noise特性がITRS hp65nm nodeを満たすことができることが判った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-12
著者
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
石内 秀美
(株)東芝
-
飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
飯島 良介
東芝
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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