7GHz CMOS低雑音増幅器

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概要

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• 0.25μm-CMOSプロセスで試作した7GHz帯の低雑音増幅器(LNA)の評価結果に関して報告する。試作したLNAはカスコード接続を採用しており、デュアルゲートMOSFETとシールドしたパッドを用いることによって、良好な高周波特性を実現した。デュアルゲートMOSFETとシールドしたパッドの効果に関しては、シミュレーション及び実測結果を用いて定量的に検討した結果を述べる。試作したLNAは、電源電圧は2V、消費電流は6.9mAで、7GHzにおける付随利得が8.9dB、NFminが1.8dB、入力換算IP3が+8.4dBmであった。これらの結果より、5GHz帯以上の周波数においてもCMOSプロセスを用いたLNAが良好に動作することがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-01-10

著者

• 大高 章二

  (株)東芝研究開発センター

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 藤本 竜一

  (株)東芝研究開発センター

• 藤本 竜一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 小島 健嗣

  (株)東芝セミコンダクター社

• 藤本 竜一

  東芝 研開セ

• 藤本 竜一

  (株)東芝

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