Si基板上の受動素子のモデリング
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概要
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Siプロセスの能動素子が高速動作可能になるにつれて,数GHzまで適用可能な受動素子モデルが必要になって来た。特に初期設計時には受動素子のモデルパラメータの値は実測結果より抽出するのではなく、素子の形状より簡単に算出できることが望ましい。既知のプロセス情報をもとに数GHzまで利用可能な受動素子モデルのパラメータを抽出する方法に関して検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
谷本 洋
(株)東芝研究開発センター
-
高橋 誓
(株)東芝半導体事業本部
-
藤本 竜一
(株)東芝研究開発センター
-
高橋 慎一
長岡技術科学大学
-
藤本 竜一
(株)東芝セミコンダクター社
-
谷本 洋
(株)東芝研究開発センター:(現)北見工業大学電気電子工学科
-
谷本 洋
(株)東芝
-
藤本 竜一
東芝 研開セ
-
藤本 竜一
(株)東芝
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