7GHz CMOS低雑音増幅器
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概要
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0.25μm-CMOSプロセスで試作した7GHz帯の低雑音増幅器(LNA)の評価結果に関して報告する。試作したLNAはカスコード接続を採用しており、デュアルゲートMOSFETとシールドしたパッドを用いることによって、良好な高周波特性を実現した。デュアルゲートMOSFETとシールドしたパッドの効果に関しては、シミュレーション及び実測結果を用いて定量的に検討した結果を述べる。試作したLNAは、電源電圧は2V、消費電流は6.9mAで、7GHzにおける付随利得が8.9dB、NFminが1.8dB、入力換算IP3が+8.4dBmであった。これらの結果より、5GHz帯以上の周波数においてもCMOSプロセスを用いたLNAが良好に動作することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
大高 章二
(株)東芝研究開発センター
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤本 竜一
(株)東芝研究開発センター
-
藤本 竜一
(株)東芝セミコンダクター社
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
藤本 竜一
東芝 研開セ
-
藤本 竜一
(株)東芝
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