(110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
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概要
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(110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性について初めて評価した。PチャネルMOSFETの低電界移動度は、1.5nm酸化膜の場合においても、厚いゲート酸化膜のときと同様に(100)基板上MOSFETに比べ大きいことが確認できた。相互コンダクタンスは、(100)基板の場合より1.9倍向上する。また、高周波特性も優れており、0.11 μmゲート長MOSFETは、室温で110 GHzの高い遮断周波数を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-10-21
著者
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
中村 新一
(株)東芝研究開発センター
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
-
大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
-
中村 新一
(株)東芝
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
-
大黒 達也
東芝セミコンダクター社
-
百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
-
百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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