N2Oオキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響

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概要

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N_2Oガスで形成したSiON膜を、0.15μm世代のCMOSに適用して、SiON膜そのものやSiONプロセスがCMOSFET特性に及ぼす影響を検討した。その結果、従来から言われているように、添加N濃度に依存して移動度が劣化する事を確認した。更に、移動度劣化に加えて、Si基板へのN導入によると考えられるp-MOSFETの極浅接合領域での寄生抵抗増大が観測された。ゲート長が短い、0.25μm以下のディープサブミクロンMOSFETにおいては、寄生抵抗のMOSFET特性への寄与が大きいので、この寄生抵抗増大は、今後SiON膜を導入する上で問題になる可能性が高い。原因究明と共に、寄生抵抗増大を少しでも緩和する、極浅接合の設計やプロセスインテグレーションの工夫が必要である。
1998-04-24

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