メタルゲートトランジスタの性能検証
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ダマシンメタルゲートプロセスを用いてメタルゲートを用いたCMOS回路の性能検証を行った。ゲートのメタル化による空乏化抑制特性を生かしつつ、W/TiNのシングルワークファンクション用ゲート材料と埋め込みチャネル構造の組み合わせによって短チャネル特性を制御している。また、ダマシンゲートプロセスを用いることによって、セルフアラインチャネル構造による寄生容量低減と極浅埋め込みチャネル構造形成を実現した。さらにはゲート電極のTiNをCVD化することによって電子移動度の改善が期待でき、これを用いることによってゲート長100nmの世代でτpdが20psを切る性能が実現可能であること示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-07-27
著者
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
松田 聡
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
松田 聡
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
東芝
-
山河 秀樹
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
山河 秀樹
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi開発センター
関連論文
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 微細金属配線における抵抗率のサイズ効果予測のためのモンテカルロ・シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD-2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ストレス技術を加えた不純物偏析Schottkyソース/ドレイントランジスタを用いた0.7VにおけるSRAM特性(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ポリメタルゲート電極技術
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とT_スケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
- 0.15μm世代以降のサリサイドプロセス
- ED2000-134 / SDM2000-116 / ICD2000-70 SbとInの高角度ハローイオン注入による80nmゲート長CMOSの実現
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology
- (110)シリコン基板上に形成した極薄酸化膜CMOSの電気的特性
- 高濃度に窒化されたゲート絶縁膜を有するMOSFETのアナログ特性
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 65nm世代以降のVdd,Vthのスケーリング指針の新規提案(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 65nm世代CMOSプラットホームの多層プロセスの開発について : ハイブリッド多層構造の量産実用化(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- メタルゲートトランジスタの性能検証
- N2Oオキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響
- N_2O オキシナイトライドプロセスが微細MOSFETトランジスタ特性に与える影響
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ナノスケールMOSFETにおけるプラズマドーピングとレーザーアニールを適用した急峻SDEの検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)