32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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概要
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MOSFET性能向上を阻害するゲート絶縁膜薄膜化の物理限界を打破するために、従来のSiO2(SiON)よりも比誘電率の高いゲート絶縁膜(high-k)、および従来の多結晶Siよりも寄生容量の少ないメタルゲート電極の実用化が必要である。2000年頃から続いてきた材料選択、成膜・加工・集積化を含めた製造技術開発の蓄積の結果、いよいよメタルゲート/high-kの32nm世代での実用化が見えてきている。本論文では、メタルゲート/high-kの導入によるデバイス特性の変化について具体的な課題を含めて紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-16
著者
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
長友 浩二
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
長友 浩二
東芝
-
関根 克行
東芝 セミコンダクター社
-
東 篤志
東芝
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
-
市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
長友 浩二
東芝セミコンダクター社
-
中嶋 一明
東芝セミコンダクター社
-
関根 克行
東芝セミコンダクター社
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
-
辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
-
小山 正人
(株)東芝
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