小山 正人 | (株)東芝研究開発センター

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概要

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• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 小山 正人

  (株)東芝

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 鈴木 正道

  (株)東芝 研究開発センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 上牟田 雄一

  (株)東芝研究開発センター

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 小池 正浩

  (株)東芝研究開発センター

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 後藤 正和

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 土屋 義規

  (株)東芝 研究開発センター

• 中嶋 一明

  東芝

• 中嶋 一明

  東芝 セミコンダクター社

• 井野 恒洋

  (株)東芝研究開発センター

• 長友 浩二

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 長友 浩二

  東芝

• 辰村 光介

  (株)東芝研究開発センター

• 市原 玲華

  (株)東芝研究開発センター

• 辰村 光介

  研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝

• 後藤 正和

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ

• 市原 玲華

  (株)東芝 研究開発センター

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 井野 恒洋

  東芝

• 辰村 光介

  (株)東芝 研究開発センター

• 吉木 昌彦

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 富田 充裕

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 青山 知憲

  (株)東芝セミコンダクター社

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 飯島 良介

  東芝

• 犬宮 誠治

  東芝

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 富田 充裕

  株式会社東芝研究開発センター

• 吉木 昌彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 後藤 正和

  筑波大学電子・物理工学専攻

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐々木 俊行

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 後藤 正和

  徳島大学外科

• 小野田 裕之

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 佐々木 俊行

  (株)東芝セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 中嶋 一明

  (株)東芝

• 後藤 正和

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 福島 崇

  東芝

• 野町 映子

  東芝

• 小野田 裕之

  東芝

• 吉水 康人

  東芝

• 小野 瑞城

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 東 篤志

  東芝

• 吉水 康人

  (株)東芝セミコンダクター社

• 後藤 正和

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福島 崇

  (株)東芝セミコンダクター社

• 野町 映子

  (株)東芝セミコンダクター社

• 長友 浩二

  東芝セミコンダクター社

• 中嶋 一明

  東芝セミコンダクター社

• 関根 克行

  東芝セミコンダクター社

• 小池 三夫

  (株)東芝

• 小池 三夫

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 後藤 正和

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 國島 巌

  (株)東芝セミコンダクター社

• 坂田 敦子

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 清水 達雄

  (株)東芝研究開発センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 古賀 淳二

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 松下 大介

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 高島 章

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 西川 幸江

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 圷 晴子

  (株)東芝

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 丹羽 祥子

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  東芝

• 小山 正人

  東芝

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 合瀬 路博

  (株)東芝

• 本郷 智恵

  (株)東芝

• 福島 伸

  東芝 研開セ

• 田中 洋毅

  (株)東芝研究開発センター

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 木下 敦寛

  (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー

• 渡部 宏治

  NECエレクトロニクス(株)

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 福島 伸

  (株)東芝

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 清水 達雄

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 高島 章

  東芝

• 渡部 宏治

  Necエレクトロニクス

• 田中 洋毅

  (株)東芝 研究開発センター

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著作論文

• LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi_2挿入による界面電気特性改善効果の実証(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 極微細TaC_x/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaC_x組成の影響(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 32nm世代以降のCMOS向けメタルゲート/High-k絶縁膜技術の導入によるMOSFET特性の変化(デバイス, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 熱処理雰囲気に依存したLaAlO_3ゲート絶縁膜上メタルゲート電極の実効仕事関数評価(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 先端LSIに向けた直接接合極薄ランタンアルミネートゲート絶縁膜
• ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
• 26a-Q-10 Ti/Si界面反応初期過程におけるTi拡散現象の解明(II)
• 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム

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