綱島 祥隆 | (株)東芝

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概要

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関連著者

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 水島 一郎

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 佐藤 基之

  東芝 セミコンダクター社

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  (株)東芝研究開発センター

• 飯島 良介

  東芝

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 犬宮 誠治

  東芝

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 Soc研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 金村 貴永

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 外園 明

  (株)東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター

• 小山 正人

  (株)東芝

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 青山 知憲

  (株)東芝セミコンダクター社

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

  (株)東芝研究開発センター

• 丹羽 祥子

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  (株)東芝

• 鎌田 善己

  東芝

• 小山 正人

  東芝

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 小山 正人

  東芝 研究開発センター

• 渡部 宏治

  NECエレクトロニクス(株)

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 中崎 靖

  (株)東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 渡部 宏治

  Necエレクトロニクス

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

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著作論文

• シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
• シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム

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