伊藤 早苗 | (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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概要
関連著者
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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青木 伸俊
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(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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(株)半導体先端テクノロジーズ
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(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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藤永 正人
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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和田 哲典
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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内田 哲也
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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竹中 正浩
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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石川 英明
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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佃 栄次
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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西 謙二
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(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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泉田 貴士
半導体研究開発センター
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青木 伸俊
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近藤 正樹
半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
半導体研究開発センター
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遠田 利之
半導体研究開発センター
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岡野 王俊
半導体研究開発センター
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川崎 博久
半導体研究開発センター
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八木下 淳史
プロセス技術推進センター
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金子 明生
プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
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石丸 一成
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須黒 恭一
プロセス技術推進センター
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江口 和弘
プロセス技術推進センター
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石内 秀美
半導体研究開発センター
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
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石川 英明
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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和田 哲典
(株)半導体先端テクノロジーズ
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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江口 和弘
(株)東芝
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東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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綱島 祥隆
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谷本 弘吉
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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下川 淳二
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豊島 義明
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著作論文
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- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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