和田 哲典 | (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

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概要

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• 和田 哲典

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 和田 哲典

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 内田 哲也

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 望月 麻理恵

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 竹中 正浩

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 石川 英明

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 藤永 正人

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 遠田 利之

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 村川 正宏

  独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト

• 大倉 康幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 高篠 裕行

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 遠田 利之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 石川 英明

  (株)半導体先端テクノロジーズ (selete)

• 伊藤 桂一

  (株)進化システム総合研究所

• 馬場 俊祐

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 行方 潤也

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 村瀬 大輔

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 村川 正宏

  (株)進化システム総合研究所

• 内田 哲也

  三菱電機ulsi開発研究所

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著作論文

• 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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• Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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• 遺伝的アルゴリズムを用いたSPICEモデルパラメータの抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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