大倉 康幸 | (株)半導体先端テクノロジーズ

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概要

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関連著者

• 大倉 康幸

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 若原 祥史

  (株)ルネサステクノロジ

• 西 謙二

  近畿大学工業高等専門学校

• 天川 博隆

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 和田 哲典

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 西 謙二

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 西 謙二

  近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院

• 遠田 利之

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 高篠 裕行

  (株)ルネサステクノロジ

• 若原 祥史

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 高篠 裕行

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 遠田 利之

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 和田 哲典

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 池田 隆英

  日立デバイス開発センタ

• 大倉 康幸

  (株)日立製作所中央研究所

• 樋口 久幸

  前橋工科大学

• 池田 隆英

  前橋工科大学情報工学科

• 若原 祥史

  前橋工科大学情報工学科

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著作論文

• 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション
• Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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