西 謙二 | 近畿大学工業高等専門学校
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概要
関連著者
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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江藤 剛治
近畿大学理工学部
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竹原 幸生
近畿大学理工学部
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秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部
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秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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秋濃 俊郎
近畿大学大学院生物理工学研究科
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竹原 幸生
近畿大学 理工学部
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濱畑 孝
近畿大学生物理工学部
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小林 正稔
近畿大学生物理工学部
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天川 博隆
(株)半導体先端テクノロジーズ
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西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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西 謙二
株式会社半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)近畿大学工業高等専門学校
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宇都 怜士
近畿大学生物理工学部
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ボ・レ クオン
近畿大学理工学部
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宇都 怜士
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学専攻
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樋口 哲也
産業技術総合研究所
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内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
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内田 哲也
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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鈴木 腕
株式会社半導体先端テクノロジーズ 基盤技術研究部
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竹中 正浩
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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石川 英明
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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内田 哲也
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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竹中 正浩
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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石川 英明
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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伊藤 早苗
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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佃 栄次
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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天川 博隆
株式会社半導体先端テクノロジーズ, 基盤技術研究部
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佃 栄次
(株)ルネサステクノロジ
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若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
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小田 嘉則
株式会社半導体先端テクノロジーズ(selete)
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村川 正宏
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
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樋口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所半導体miraiプロジェクト
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若原 祥史
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大倉 康幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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内田 哲也
三菱電機ulsi開発研究所
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小田 嘉則
株式会社半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)松下電器産業株式会社
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樋口 哲也
独立行政法人産業技術総合研究所
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村川 正宏
半導体MIRAIプロジェクト,産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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樋口 哲也
半導体MIRAIプロジェクト,産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
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高嶋 航大
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系
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相川 正宏
独立行政法人産業技術総合研究所半導体MIRAIプロジェクト
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西 謙二
半導体先端テクノロジーズ基礎技術研究部
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高嶋 航大
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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樋口 哲也
産業技術総合研究所 情報技術研究部門
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樋口 哲也
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
著作論文
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 半導体シミュレーション : 歴史と将来の課題
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- インバースモデリングによる半導体中の不純物拡散モデルパラメータの最適化
- 半導体シミュレーションにおけるインバースモデリング技術 : 微細なMOS構造の解析
- Fluctuations of Device Characteristics : TCAD and DFM
- 遺伝的アルゴリズムと勾配法の組合せによる物理モデルの自動合わせ込み
- パラメータの微分可能性を考慮した遺伝的アルゴリズムによる物理モデルの自動合わせ込み
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 総論
- 三次元プロセスシミュレーション(2.半導体デバイスに関するシミュレーション技術)(電子情報通信を支えるシミュレーション技術)
- 多層構造プロセスシミュレ-タASPREMの開発
- シリコン中の高濃度リン拡散機構の研究