半導体シミュレーションにおけるインバースモデリング技術 : 微細なMOS構造の解析
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概要
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Inverse modeling as applied to semiconductor simulation is reviewed. While some applications are found in the area of interconnect structures and modeling/device analysis, the most popular one is to extract ultra-fine structure of a MOS transistor with its dopant profile. Three major problems are explained : MOS transistor representation, target transistor characteristics and parameter optimization. An example of extraction of actual nMOSFET is shown, and excellent results are obtained for transistors manufactured by 0.1μm process.
- 近畿大学工業高等専門学校の論文
- 2006-12-01
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