0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
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概要
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本論文では,クロック当り最大5nFの負荷容量を持つCCDチップを100MHzの高速で動作するディスクリート素子を搭載したプリント基板を開発し,そのディスクリート素子を駆動するためSOI型0.18μmCMOSプロセスに基づいたクロックを生成する電源チップを設計する.TSMCのバルクCMOSプロセスにおけるBSIM3モデル・パラメータを基本にして、その不純物プロファイルは深さ方向に表面のチャネル不純物濃度の値を保つように変更した.基板はノンフローティングにし,そのコンタクト抵抗が小さくなるようにレイアウトを工夫して,横型npn-或いはpnp-BJTを活性化する統合CBiCMOSバッファ回路の高速化と低エネルギー化を図った.しきい値電圧の絶対値を0.5Vに固定して,【電源電圧/しきい値電圧】の比の値を1.5から4の範囲で変えた回路シミュレーションでは,2の値でその平均エネルギーが最小となった.さらに各種条件下の回路シミュレーション結果を報告する.結果として,約100MHzのクロック生成の技術的見通しが得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-19
著者
-
江藤 剛治
近畿大学理工学部
-
竹原 幸生
近畿大学理工学部
-
濱畑 孝
近畿大学生物理工学部
-
宇都 怜士
近畿大学生物理工学部
-
秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部
-
西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
-
秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
-
秋濃 俊郎
近畿大学大学院生物理工学研究科
-
西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
-
竹原 幸生
近畿大学 理工学部
-
宇都 怜士
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学専攻
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