非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
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概要
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本論文は,ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-CMOSプロセスに基づき,チャネル長(即ち,MOSFETに内存する寄生横型BJTのベース幅)を2種類変えたMOSFETを設計し,それらのMOSFETとBJTの両者の電流特性を評価した結果を述べる.まず,(1)MOSFET動作がオンで横型BJTの動作がアクティブでない場合,次に,(2)横型BJT動作がアクティブでMOSFET動作がオフの場合,最後に,(3)最も重要な両者の動作がオンとアクティブの併合動作の場合,それぞれ三つの状態でのドレイン(コレクタ)電流-ドレイン(コレクタ)電圧を実測した.チャネル長毎の併合動作時の電流能力データを,他の二つの動作のそれに比較して,解析する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-24
著者
-
江藤 剛治
近畿大学理工学部
-
濱畑 孝
近畿大学生物理工学部
-
秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部
-
秋濃 小池
ハーバード大学 工学応用科学部
-
秋濃(小池) 俊昭
ハーバード大学工学応用科学部
-
秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
-
秋濃 俊郎
近畿大学大学院生物理工学研究科
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