秋濃 俊郎 | 近畿大学生物理工学部
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概要
関連著者
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秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部
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秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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秋濃 俊郎
近畿大学大学院生物理工学研究科
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濱畑 孝
近畿大学生物理工学部
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江藤 剛治
近畿大学理工学部
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竹原 幸生
近畿大学理工学部
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西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
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西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
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竹原 幸生
近畿大学 理工学部
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小林 正稔
近畿大学生物理工学部
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堺 芳信
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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宇都 怜士
近畿大学生物理工学部
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豊永 昌彦
Department of Information Science, Faculty of Science, Kochi University
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高橋 博宣
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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豊永 昌彦
Department Of Information Science Faculty Of Science Kochi University
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宇都 怜士
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学専攻
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ボ・レ クオン
近畿大学理工学部
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秋濃 小池
ハーバード大学 工学応用科学部
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永田 真
近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科
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秋濃(小池) 俊昭
ハーバード大学工学応用科学部
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秋濃 俊郎
近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科
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吉山 貴典
近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科
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永田 真
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
-
吉山 貴典
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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豊永 昌彦
松下電器産業株式会社半導体開発本部半導体先行開発センター
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濱畑 孝
近畿大学大学院生物理工学研究科電子システム情報工学専攻
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豊永 昌彦
松下電器産業
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堤 崇
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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高橋 博宜
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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宮浦 恭弘
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
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松浦 圭
近畿大学大学院生物理工学研究科
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玉置 文晶
近畿大学大学院生物理工学研究科
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秋濃 俊郎
Program in Electronic System and Information Engineering, The Graduate School of Biology-Oriented Sc
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中谷 友樹
Program in Electronic System and Information Engineering, The Graduate School of Biology-Oriented Sc
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堺 芳信
近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科
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高橋 博宣
近畿大学 生物理工学部 電子システム情報工学科
-
中谷 友樹
Program In Electronic System And Information Engineering The Graduate School Of Biology-oriented Sci
著作論文
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- シミュレーテッド・アニーリング法に基づいた大規模ブロックにおける標準セルの最適概略配置
- 回路シミュレーションの立上げと物理設計CADの実用化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計 : 連続可変なトランジスタ幅の組み合せ論理セル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計I : トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
- 基板バイアス印加CMOS回路のエネルギー遅延積最小化スケーリング
- 基板バイアス印加ドミノCMOS回路設計I : BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
- 基盤バイアス印加CMOS回路のエネルギー遅延積最小化スケーリング
- 基盤バイアス印加ドミノCMOS回路設計I : BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト
- DAC'98の動向 : Physical Designを中心として
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- ラティラル統合C-BiCMOSバッファ駆動のCMOSクロック生成回路 (アナログ要素回路)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路のスケーリング
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 回路シミュレーションの立上げと物理設計CADの実用化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- 抵抗比型制御による新統合 BiCMOS インバータで駆動した高速ドミノ CMOS 全加算器(論理設計-3, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 抵抗比型制御による新統合 BiCMOS インバータで駆動した高速ドミノ CMOS 全加算器(論理設計-3, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計 : 連続可変なトランジスタ幅の組み合せ論理セル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計I : トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
- A-1-31 非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスに基づいた統合CBiCMOS回路方式のレベルシフター(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト