速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
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概要
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速度飽和効果を取り入れた線形領域のドレイン電流式を基本にして、その時間積分により、閾値電圧と電圧源を変数とするCMOSインバータの解析的な遅延モデル式の導出に成功した。飽和領域のドレイン電流は、ゲート電圧に依存しない一定の傾きをもたせた。ここでは、線形領域の電流の一次微分が飽和領域のその傾きと等しくなる電圧を、飽和ドレイン電圧とした。0.35μmのCMOSプロセスにおいて、BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション結果との比較により、そのモデル式の精度を検討した。電圧源が大きな値を持つ領域で、より高精度となることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-04
著者
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