基板バイアス印加ドミノCMOS回路設計I : BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
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概要
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通常の電源系である[V_<DD>, V_<SS>]の他に、新たな基板電源系[V_<DD>'(>V_<DD>), V_<SS>'(<V_<SS>)]を追加し、電気的に分離した4種類の基板バイアスで4つの閾値電圧を持たせたCMOS回路で、[V_<DD>, V_<SS>]の根元でソース端子が接続する全てのプルアップ / プルダウン・トランジスタに高い閾値電圧を持たせて、それら電流を制御する回路方式[1]を提案している。本稿では、この方式に基づくダイナミックなドミノCMOS回路で、0.35μmプロセスに合わせたBSIM3v3モデルを使ったT-SPICEによる回路シミュレーションを行い、その最適な回路設計を試みた。3入力NANDが4並列に構成される組み合わせ論理回路(駆動インバータ付き)で、スタティックCMOS回路の場合に比べ、遅延時間で67%に、面積で69%に減少した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-03
著者
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