シミュレーテッド・アニーリング法を用いたセル概略配置の座標精度に関する検討(信号処理,LSI,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
スタンダード・セル方式の大規模集積回路のセル配置処理は、概略配置と詳細配置から構成される。概略配置では、セルの大まかな位置が決められ、詳細配置へも重要な影響を与える。しかしその座標精度について、われわれの知る限り議論されていない。そこでわれわれは、概略配置において、シミュレーテッド・アニーリング法を用いた総配線長のコスト関数による最適化過程の中で、その座標精度を配置スロット幅として規定した12,000〜69,000個のセル数を持つ8種のベンチマーク回路を用いた詳細なコンピュータ実験を行なって最終解を求めた。その結果、約2.5個×平均セル幅のスロット幅において、総配線長が最小になることを見出したのでここに報告する。シミュレーテッド・アニーリング法の温度冷却スケジュールをO.92から0.97まで調べたが、この最適なスロット幅と最終コストはほぼ変わらない。本報告では、以上の実験結果と、その最適なスロット幅とセル横幅による最終解への影響について論ずる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-19
著者
-
秋濃 俊郎
近畿大学生物理工学部電子システム情報工学科
-
秋濃 俊郎
近畿大学大学院生物理工学研究科
-
豊永 昌彦
Department of Information Science, Faculty of Science, Kochi University
-
中谷 友樹
近畿大学大学院生物理工学研究科電子システム情報工学専攻
-
豊永 昌彦
高知大学理学部数理情報科学科
-
中谷 友樹
Program In Electronic System And Information Engineering The Graduate School Of Biology-oriented Sci
-
豊永 昌彦
Department Of Information Science Faculty Of Science Kochi University
関連論文
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- シミュレーテッド・アニーリング法に基づいた大規模ブロックにおける標準セルの最適概略配置
- 回路シミュレーションの立上げと物理設計CADの実用化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- シミュレーテッド・アニーリング法を用いたセル概略配置の座標精度に関する検討(信号処理,LSI,及び一般)
- シミュレーテッド・アニーリング法を用いたセル概略配置の座標精度に関する検討(信号処理, LSI, 及び一般)
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とダイナミックCMOS組み合わせ論理セルへの適用
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とスタティックCMOS組み合わせ論理回路への適用
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計 : 連続可変なトランジスタ幅の組み合せ論理セル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計I : トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
- 基板バイアス印加CMOS回路のエネルギー遅延積最小化スケーリング
- 基板バイアス印加ドミノCMOS回路設計I : BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
- 基盤バイアス印加CMOS回路のエネルギー遅延積最小化スケーリング
- 基盤バイアス印加ドミノCMOS回路設計I : BSIM3v3モデルに基づく回路シミュレーション
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト
- DAC'98の動向 : Physical Designを中心として
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- フラクタル次元を利用したVLSIレイアウト向きクラスタリング手法
- DAC'98の動向 : Physical Designを中心として
- DAC'98の動向 : Physical Designを中心として
- ラティラル統合C-BiCMOSバッファ駆動のCMOSクロック生成回路 (アナログ要素回路)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路のスケーリング
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価(信号処理,LSI及び一般)
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- 高耐圧1.2-μmCMOSプロセスを用いた超高速ビデオカメラ用CCD電源チップの設計(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- CCDクロック当り最大5nFの負荷容量を駆動する横型統合CBiCMOSバッファ回路(信号処理,LSI,及び一般)
- シミュレーテッド・アニーリング法を用いたセル概略配置の座標精度に関する検討(信号処理, LSI, 及び一般)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインバータの回路シミュレーション-I(信号処理,LSI,及び一般)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインバータの回路シミュレーション-I(信号処理, LSI, 及び一般)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインバータの回路シミュレーション-I(信号処理, LSI, 及び一般)
- 回路シミュレーションの立上げと物理設計CADの実用化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 速度飽和効果に基づくCMOSインバータの解析的な遅延モデル式(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とダイナミックCMOS組み合わせ論理セルへの適用
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とスタティックCMOS組み合わせ論理回路への適用
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とダイナミックCMOS組み合わせ論理セルへの適用
- 連続可変な駆動能力を実現するフレキシブル・セルのレイアウト構造とスタティックCMOS組み合わせ論理回路への適用
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの消費電力モデル
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- スーパーセルにおける配置コスト関数のモデル化
- 抵抗比型制御による新統合 BiCMOS インバータで駆動した高速ドミノ CMOS 全加算器(論理設計-3, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 抵抗比型制御による新統合 BiCMOS インバータで駆動した高速ドミノ CMOS 全加算器(論理設計-3, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインバータの回路シミュレーション-II(信号処理,LSI,及び一般)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインパークの回路シミュレーション-II(信号処理, LSI, 及び一般)
- 内存ラティラル・バイポーラ・トランジスタの駆動力を用いたCMOS/SOIインパークの回路シミュレーション-II(信号処理, LSI, 及び一般)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 抵抗比型制御による統合CBiCMOSインバータの高速駆動(回路技術, 信号処理, LSI, 及び一般)
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計 : 連続可変なトランジスタ幅の組み合せ論理セル
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計I : トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路に基づくスーパーセルの設計I : トランジスタ寸法連続可変なセル・レイアウト・アーキテクチャ
- A-1-31 非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスに基づいた統合CBiCMOS回路方式のレベルシフター(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- 相転移温度を利用した配置改善の一手法
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 基板バイアス印加時のスケーリング則
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
- 静的基板バイアス印加ドミノCMOS回路における待機時電源切断
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト
- 2電源系統ダイナミックCMOSセルの回路とレイアウトの最適化I : ドミノCMOS「準スタンダード・セル」レイアウト