微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ゲート絶縁膜に高誘電体を用いたMOSFETの逆狭チャネル効果を調べた。実効膜厚EOTが同じでもゲート絶縁膜の誘電率が違えばフリンジ容量,物理膜厚が変わる.そのため逆狭チャネル効果も誘電率よって変わることを発見した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-23
著者
-
西 謙二
近畿大学工業高等専門学校
-
天川 博隆
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
西 謙二
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
西 謙二
近畿大学高等専門学校総合システム工学科電気電子系:(現)筑波大学大学院
-
若原 祥史
(株)ルネサステクノロジ
-
若原 祥史
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大倉 康幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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