Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
半導体素子では微細構造による量子効果顕在化、低消費電力実現のために素子構造の複雑化が起こってくると予想される。この両者に対応できるものとしてDensity Gradient法(密度勾配法)が提案されている。そこで、Selete製汎用デバイスシミュレータHyDeLEOSに密度勾配法を組み込み、バルクMOSFET、DGSOI、TriGateSOIに関して計算した。これらの構造に対して通常法と密度勾配法の違いについて解析した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-09-20
著者
-
和田 哲典
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
高篠 裕行
(株)ルネサステクノロジ
-
大倉 康幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
高篠 裕行
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
遠田 利之
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
和田 哲典
(株)半導体先端テクノロジーズ
関連論文
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- SiON pMOSFETに対するNBTI劣化のモデリング(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- インバースモデルシステムの開発と二次元プロファイル抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- インバースモデルシステムの開発と二次元プロファイル抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 微細MOSトランジスタの逆狭チャネル効果の解析 : 高誘電体ゲート絶縁膜の影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 部分空乏型SOI MOSFETのターンオフ電流の3次元シミュレーション
- Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Density Gradient法を用いたMOSFET、DGSOI、TriGateSOIの計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 遺伝的アルゴリズムを用いたSPICEモデルパラメータの抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 遺伝的アルゴリズムを用いたSPICEモデルパラメータの抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 遺伝的アルゴリズムのテクノロジーCADへの応用
- ロードマップから見たTCAD技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ロードマップから見たTCAD技術(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)