ロードマップから見たTCAD技術(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ITRS/STRJロードマップではモデリング技術に対して微細素子のバラツキが性能に及ぼす響を解析・モデル化する要求が高まっている。そこでバラツキが特性に与える影響を調べるため, 駆動電流, オフ電流, Vtの短チャネル効果抑制の3性能指標に対する目的最適化手法を用いてhp50nmのLOP(=Low Operation Power)相当の性能を持つnMOSの素子構造を推定した。その結果バラツキの影響は素子構造に強く依存する事を確認した。またロードマップで提案されているモデリング技術階層化を実現する上で必要な多次元ランダムデータの保管方法を開発し, イオン注入分布のモデルパラメータの補間や分布自体の補間が可能なことを確認した。
- 2005-09-20
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