3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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3次元プロセス/デバイスシミュレーションを用いてbulk-FinFETの構造とイオン注入条件の最適化を検討した。チャネルのイオン注入条件は、パンチスルー電流が低く、且つ駆動電流が高くなるように最適化した。ストレスライナーを付けたときの応力解析を行った結果、SOI-FinFETよりもbulk-FinFETの方が大きなストレスが発生していることが分かった。Raised Source/Drain(RSD)構造を適用するときには、ソースドレイン拡散層のイオン注入条件を最適化した。ストレスライナーとRSDの組み合わせはbulk-FinFETの駆動電流向上に有効であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-19
著者
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
-
岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
金村 貴永
半導体研究開発センター
-
泉田 貴士
半導体研究開発センター
-
青木 伸俊
半導体研究開発センター
-
近藤 正樹
半導体研究開発センター
-
伊藤 早苗
半導体研究開発センター
-
遠田 利之
半導体研究開発センター
-
岡野 王俊
半導体研究開発センター
-
川崎 博久
半導体研究開発センター
-
八木下 淳史
プロセス技術推進センター
-
金子 明生
プロセス技術推進センター
-
稲葉 聡
半導体研究開発センター
-
中村 光利
半導体研究開発センター
-
石丸 一成
半導体研究開発センター
-
須黒 恭一
プロセス技術推進センター
-
江口 和弘
プロセス技術推進センター
-
石内 秀美
半導体研究開発センター
-
金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
-
金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
-
金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
-
八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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