対拡散モデルを用いた高濃度ホウ素の拡散シミュレーション : 高速計算手法とシミュレーション精度
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概要
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不純物・格子間シリコン対,不純物・空孔対の反応に対して平衡を仮定した対拡散モデルで問題となる数値計算の不安定性と収束性を、電界項の線形化手法と未知数の選択手法を工夫することによって解決し、安定かつ高速(標準拡散モデルの約30倍程度の計算時間)に解ける様にした。また、実験によって求めたホウ素の真性拡散係数と、H.Parkらの点欠陥関連モデルパラメータを用いてこの方法でシミュレーションを行ったところ、ホウ素のダメージ増速拡散,テール拡散のシミュレーション結果は実測値と良く一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-13
著者
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
-
金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
中村 光利
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
楠 直樹
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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