32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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32nmノード以降のpMOSFET高性能化を実現するためSiGe-S/D構造としてTwo-step recessed SiGe-S/D構造を開発した。この構造の最適化により、移動度向上、寄生抵抗低減、短チャネル特性を大幅に改善し、V_<dd>=0.9VでI_<on>=591μA/μm,I_<off>=100nA/μm(V_<dd>=1.0VでI_<on>=701μA/μm,I_<off>=100nA/μm)という現在までの報告の中で最も高性能な24nmゲート長pMOSFETを実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
安武 信昭
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大内 和也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
諸岡 哲
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
豊島 義明
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
東 篤志
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
-
安武 信昭
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
大内 和也
SoC研究開発センター
-
矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
-
森 伸二
プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
プロセス技術推進センター
-
楠 直樹
システムLSIデバイス技術開発部
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
-
青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
-
青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
-
豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
楠 直樹
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
東 篤志
東芝
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
楠 直樹
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
石田 達也
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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