90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
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概要
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High-End LSIをターゲットとした90nmノード(ゲート長60nm)部分空乏型SOI単OSFETに関して、ゲート絶縁膜形成条件や、Extension/Haloイオン注入条件、スパイクアニールによる活性化条件を最適化することにより、NMOSのIon=910μA/μm、PMOSのIon=320μA/μm、(Ioff=30nA/μm、Vdd=1.0V with self-heating)を達成し、10年以上のHCI Life TimeをNMOS・PMOS双方に対して確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
著者
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
東 篤志
東芝セミコンダクター社
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
東 篤志
東芝
-
川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
-
井納 和美
株式会社東芝
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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