篠 智彰 | (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
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野口 充宏
(株)東芝セミコンダクター社
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野口 充宏
株式会社東芝セミコンダクター社
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著作論文
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 90nm node CMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- 90nmCMOSプロセスによる128Mb-FBC(Floating Body Cell)メモリの技術開発(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集2 DRAM)
- SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- Floating Body RAM技術開発及びその32nm nodeへ向けたScalability(新メモリ技術とシステムLSI)
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
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- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス