SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))

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概要

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• SOI上にFBC(Floating Body Cell)とよぶ0.175μmメモリセルを試作し動作を確認した.FBCは1トランジスタのゲインセルで,SOI上の混載DRAM用メモリとして適している.今回,96kbit ADM(Array Diagnostic Monitor)で99.77%のファンクション・イールドを得た.また,電荷保持時間は85℃において500msecであった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-08-15

著者

• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 梶山 健

  (株)東芝 SoC 研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 池橋 民雄

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福住 嘉晃

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 藤田 勝之

  Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation

• 梶山 健

  (株)東芝研究開発センター

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 池橋 民雄

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

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