SOI上の1Tゲインセル(FBC)を用いた128MビットDRAM
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概要
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- 2005-04-07
著者
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
初田 幸輔
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
東 知輝
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
-
藤田 勝之
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
森門 六月生
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大澤 隆
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
藤田 勝之
Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation
-
南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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