256Mb DRAMのためのNAND型セル技術
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概要
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256MbDRAM試作に用いたNAND型セル技術について報告する。スタックキャパシタおよびトレンチキャパシタからなる2種類のNAND型セル構造を開発した。ともに0.9μmワード線ピッチと0.95μmビット線ピッチのセルアレイ構成において、従来セルより37%小さな0.962μm^2のセル面積を実現した。これにより、0.4μmデザインルールによる256MbDRAMを可能にした。NAND型セル構成は将来の高密度DRAMにとって有望なセル構成である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-26
著者
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
斉藤 芳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
石橋 裕
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
浜本 毅司
東芝研究開発センター
-
山田 敬
東芝研究開発センター
-
青木 正身
東芝研究開発センター
-
石橋 茂
東芝研究開発センター
-
川口谷 ひとみ
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
川口谷 ひとみ
東芝
-
石橋 裕
東芝
-
橋本 耕治
東芝
-
金井 秀樹
東芝
-
斉藤 芳彦
東芝
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
石橋 茂
東芝
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