山田 敬 | (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

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概要

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• 同名の論文著者
• (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センターの論文著者

関連著者

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 山田 敬

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 篠 智彰

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 篠 智彰

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 吉見 信

  SOITEC Asia

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 川中 繁

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝 システムLSI開発センター

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 布施 常明

  東芝セミコンダクター社

• 布施 常明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 浜本 毅司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 渡辺 重佳

  (株)東芝技術企画室

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 渡辺 重佳

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 太田 雅子

  東芝セミコンダクター社

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 大脇 幸人

  (株)東芝soc研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 南 良博

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 ULSI研究所

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝SoC研究開発センター

• 大脇 幸人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 鴨志田 昌弘

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大内 和則

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 太田 雅子

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 大内 和則

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 鴨志田 昌弘

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 山田 浩玲

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 真鍋 宗平

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉田 尊

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 吉田 晋一

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 梶山 健

  (株)東芝 SoC 研究開発センター

• 松原 玄宗

  (株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所

• 池橋 民雄

  (株)東芝セミコンダクター社

• 福住 嘉晃

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 真鍋 宗平

  (株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 松原 玄宗

  (株)東芝システムlsi技術研究所

• 藤田 勝之

  Center For Semiconductor R&d Toshiba Corporation

• 梶山 健

  (株)東芝研究開発センター

• 中島 博臣

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大澤 隆

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 池橋 民雄

  (株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター

• 勝又 康弘

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 山田 敬

  東芝研究開発センター

• 青木 正身

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 吉田 晋一

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 荻原 隆

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 吉田 毅

  九州大学医学部附属病院放射線科

• 松永 準一

  (株)東芝 研究開発センター ULSI研究所

• 灘原 壮一

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 石橋 裕

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 勝又 康弘

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 永野 元

  プロセス技術推進センター

• 山田 誠司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 長谷川 武裕

  東芝研究開発センター

• 渡辺 重佳

  東芝研究開発センター

• 浜本 毅司

  東芝研究開発センター

• 青木 正身

  東芝研究開発センター

• 石橋 茂

  東芝研究開発センター

• 綱島 祥隆

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 川口谷 ひとみ

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 山田 敬

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高橋 一美

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 親松 尚人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 永野 元

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新田 伸一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 北城 岳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国分 弘一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 安本 佳緒里

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 灘原 壮一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  広島大学先端物質科学研究科

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 吉田 毅

  (株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 北城 岳彦

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 吉田 毅

  産業医科大学泌尿器科学教室

• 松永 準一

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 吉見 信

  株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部

• 石橋 茂

  東芝

• 吉田 毅

  株式会社東芝

• 白武 慎一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 尾崎 徹

  (株)東芝セミコンダクター社

• 青木 正身

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 石橋 裕

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 白武 慎一郎

  東芝研究開発センター

• 高島 大三郎

  東芝研究開発センター

• 大脇 幸人

  東芝研究開発センター

• 荻原 隆

  東芝研究開発センター

• 太田 雅子

  東芝研究開発センター

• 舛岡 富士雄

  東芝研究開発センター

• 川中 繁

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 恩賀 伸二

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 岡田 多佳子

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 篠 智彰

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 吉見 信

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 吉岡 晋一

  (株)東芝

• 舛岡 富士雄

  東芝研究開発センタ

• 川口谷 ひとみ

  東芝

• 石橋 裕

  東芝

• 橋本 耕治

  東芝

• 金井 秀樹

  東芝

• 斉藤 芳彦

  東芝

• 高島 大三郎

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川中 繁

  東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部

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著作論文

• NAND型セルを用いた256Mb DRAM
• リソグラフィー優先設計の6F^2型DRAMセル
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
• 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
• 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
• 256Mb DRAMのためのNAND型セル技術
• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 混載DRAMに適したSOI上の1トランジスタゲインセル(FBC)を使ったメモリ : セル特性及びメモリ性能の評価結果(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 高密度NAND型DRAM技術
• 0.5V動作を可能にした基板電位制御形SOI回路技術 (特集 デバイスに高性能化をもたらすSOI基板)

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