石内 秀美 | (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

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• 石内 秀美

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• 金子 明生

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• 諸岡 哲

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• 冨田 寛

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• 松下 大介

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• 渡辺 由美

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• 馬越 俊幸

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• 福井 大伸

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• 豊島 義明

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• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 松尾 浩司

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• 吉田 毅

  九州大学医学部附属病院放射線科

• 浜本 毅司

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• 灘原 壮一

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 冨田 寛

  (株)東芝セミコンダクター社

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 中島 博臣

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• 東 知輝

  東芝マイクロエレクトロニクス(株)

• 藤田 勝之

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• 大澤 隆

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 中島 博臣

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 篠 智彰

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 井納 和美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 幸山 裕亮

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 佐藤 力

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• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 永野 元

  プロセス技術推進センター

• 山田 誠司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 松下 大介

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 馬越 俊幸

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 村岡 浩一

  東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 村岡 浩一

  (株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 梶山 健

  (株)東芝 SoC 研究開発センター

• 綱島 祥隆

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• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 山田 敬

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高橋 一美

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 親松 尚人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 永野 元

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新田 伸一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 北城 岳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国分 弘一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 安本 佳緒里

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 灘原 壮一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  広島大学先端物質科学研究科

• 遠田 利之

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 金村 貴永

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• 泉田 貴士

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• 青木 伸俊

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  プロセス技術推進センター

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• 中村 光利

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• 須黒 恭一

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  プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  半導体研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 伊藤 早苗

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• 小野 高稔

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• 矢橋 勝典

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• 岩出 健次

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• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 中村 光利

  半導体研究開発センター:株式会社東芝

• 金子 明生

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• 八木下 淳史

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• 大村 光広

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• 岡野 王俊

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• 泉田 貴士

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• 青木 伸俊

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• 古賀 淳二

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著作論文

• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
• 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
• FinFETを用いたhp22nm node SRAMのロバストなデバイス設計(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• hp22 nm Node Low Operating Power(LOP)向けSub-10nmゲートCMOS技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
• 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• Mixed Signal CMOS用HfSiONゲート絶縁膜の最適化(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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• HfSiONゲート絶縁膜のヒステリシスに寄与するトラップの解析(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 90nm世代におけるSoC向け高集積混載SRAM技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)
• アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
• チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
• 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• SOI上に形成した混載DRAM用メモリセル : FBC(Floating Body Cell)(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
• 低消費電力型BiCMOS用シャロウトレンチ最適化の検討
• トレンチキャパシタセルによるDRAM混載LSI技術
• 21世紀のULSI製造技術の概観

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