窪田 壮男 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ
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概要
関連著者
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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石内 秀美
(株)東芝
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
-
綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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江口 和弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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江口 和弘
(株)東芝
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綱島 祥隆
(株)東芝
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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小田 典明
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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隣 真一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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中尾 慎一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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冨岡 和弘
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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曽田 栄一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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中村 直文
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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野川 潤
NECエレクトロニクス(株)
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川島 由嗣
NECエレクトロニクス(株)
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林 遼
NECエレクトロニクス(株)
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斎藤 修一
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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木下 敦寛
東芝研究開発センター
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木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
-
木下 敦寛
東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
著作論文
- 短TATシリル化ポーラス・シリカ(k=2.1)を用いた32nmノード対応Ultralow-k/Cuデュアルダマシン配線技術(配線・実装技術と関連材料技術)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET