川崎 博久 | (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

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概要

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• 石丸 一成

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• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石丸 一成

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• 川崎 博久

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• 川崎 博久

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• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

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• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

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• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

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• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

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• 金子 明生

  東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ

• 八木下 淳史

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• 石内 秀美

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• 石内 秀美

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• 石内 秀美

  (株)東芝

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 宮野 清孝

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• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

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• 豊島 義明

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• 宮野 清孝

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• 水島 一郎

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• 岡山 康則

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著作論文

• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nmノード以降に向けたFinFET SRAMセルのDC特性ばらつき(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• CT-1-3 22nm世代に向けたFinFET SRAM技術(CT-1.10nm世代に向けた新LSI技術,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
• 90nm世代におけるSoC向け高集積混載SRAM技術(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)

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