小野 高稔 | (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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概要
関連著者
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
著作論文
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))