大石 周 | 東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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概要
関連著者
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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大野 圭一
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(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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ソニー株式会社
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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吉村 尚郎
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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岡山 康則
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大石 周
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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小野 高稔
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中山 和宏
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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渡辺 竜太
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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英保 亜弓
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菰田 泰生
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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木村 泰己
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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竹川 陽一
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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齋藤 正樹
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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岩井 正明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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松岡 史倫
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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佐貫 朋也
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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岩井 正明
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 周
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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野口 達夫
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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猪原 正弘
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猪原 正弘
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東芝セミコンダクターカンパニー
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三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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ソニー株式会社
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡本 和之
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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藤田 悟
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大谷 寛
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森藤 英治
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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五十嵐 弘文
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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平井 友洋
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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木下 功一
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森本 寿喜
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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姜 帥現
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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今井 清隆
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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横山 孝司
ソニー株式会社
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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岩佐 誠一
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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藤井 修
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部
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猪熊 英幹
プロセス技術推進センター
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江田 健太郎
プロセス技術推進センター
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伊高 利昭
プロセス技術推進センター
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宮島 秀史
プロセス技術推進センター
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岩佐 誠一
プロセス技術推進センター
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山崎 博之
プロセス技術推進センター
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大内 和也
SoC研究開発センター
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松尾 浩司
プロセス技術推進センター
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永野 元
プロセス技術推進センター
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清水 敬
プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
プロセス技術推進センター
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鈴木 隆志
プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
プロセス技術推進センター
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堀内 淳
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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佐喜 和朗
プロセス技術推進センター
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森 伸二
プロセス技術推進センター
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水島 一郎
プロセス技術推進センター
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斎藤 正樹
ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部
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木下 朋子
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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笠井 邦弘
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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吉村 尚朗
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大野 圭一
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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斎藤 正樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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長島 直樹
SONY(株)セミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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森政 幸夫
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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青田 正司
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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木下 朋子
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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蓮見 良治
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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竹川 陽一
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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磯部 和亜樹
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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須之内 一正
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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野口 達夫
東芝セミコンダクター社 システムLSI技術開発統括部
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伊高 利昭
(株)東芝セミコンダクター社
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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古田 健司
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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藤井 修
(株)東芝 セミコンダクター社 システムlsi デバイス技術開発部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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森藤 英治
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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本多 健二
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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清水 敬
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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藤井 修
(株)東芝
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笠井 邦弘
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
著作論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 歪みSi CMOSFETのスケーラビリティと40nmゲート長の高性能な歪みSi CMOSFET技術(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))