中村 典生 | Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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概要
関連著者
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中村 典生
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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平井 友洋
NEC Electronics Corporation
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猪原 正弘
東芝
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中山 武雄
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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NEC シリコンシステム研究所
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岩本 敏幸
NEC Electronics Corporation
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松岡 史倫
東芝
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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岩本 俊幸
Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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Necエレクトロニクス
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Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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松永 範昭
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本多 健二
東芝セミコンダクターカンパニー
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東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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猪原 正弘
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岡本 和之
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大谷 寛
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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森藤 英治
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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平井 友洋
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 俊行
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(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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深作 克彦
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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平井 友洋
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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真壁 真理子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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松田 友子
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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国宗 依信
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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山田 秦久
Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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石田 達也
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小島 健嗣
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森藤 英治
株式会社東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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本多 健二
東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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西郡 正人
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
著作論文
- 40nm low standby power CMOS技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 100nm世代SOC対応CMOSプロセス
- 最先端リソグラフィー技術と Gate-first MG/HK プロセス技術を用いたコスト競争力のある32nm世代 CMOS Platform Technology