小野 高稔 | 株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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概要
関連著者
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大野 圭一
ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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濱口 雅史
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムlsi事業部
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谷口 修一
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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渡辺 竜太
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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大石 周
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩井 正明
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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岡山 康則
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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深作 克彦
ソニー株式会社
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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長島 直樹
ソニー株式会社
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岡山 康則
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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齋藤 友博
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大石 周
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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中嶋 一明
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
小野 高稔
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中山 和宏
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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渡辺 竜太
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
英保 亜弓
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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菰田 泰生
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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木村 泰己
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
竹川 陽一
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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青山 知憲
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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飯沼 俊彦
株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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齋藤 正樹
ソニー株式会社 半導体事業グループ
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岩井 正明
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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松岡 史倫
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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大野 圭一
ソニー株式会社
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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大島 享介
ソニー株式会社
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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松岡 史倫
東芝
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
著作論文
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))