綱島 祥隆 | 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

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概要

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関連著者

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 綱島 祥隆

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松尾 浩司

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 犬宮 誠治

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 渡辺 健

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 村越 篤

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 林 久貴

  (株)東芝セミコンダクター社

• 赤坂 泰志

  東京エレクトロン株式会社

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 尾本 誠一

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 小澤 良夫

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 齋藤 友博

  東芝 セミコンダクター社

• 齋藤 友博

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 中嶋 一明

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 矢野 博之

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 平野 智之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 八木下 淳史

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 村越 篤

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 赤坂 泰志

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 南幅 学

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 松井 之輝

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• HIEDA Katsuhiko

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 有門 経敏

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 奥村 勝弥

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 幡野 正之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 佐藤 基之

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 吉田 毅

  九州大学医学部附属病院放射線科

• 灘原 壮一

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 井上 文彦

  富士通プロセス開発部第1開発部

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 佐々木 貴彦

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 大塚 伸朗

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 井納 和美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 小澤 良夫

  株式会社東芝

• 井上 文彦

  富士通

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 永野 元

  プロセス技術推進センター

• 山田 誠司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 佐々木 貴彦

  株式会社東芝

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 田中 正幸

  東芝

• 田中 正幸

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 綱島 祥隆

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 山田 敬

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高橋 一美

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 親松 尚人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 永野 元

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新田 伸一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 北城 岳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国分 弘一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 安本 佳緒里

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 灘原 壮一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 幡野 正之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平野 智之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  広島大学先端物質科学研究科

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 中西 俊郎

  富士通研究所

• 須黒 恭一

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 金子 明生

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 大村 光広

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 岡野 王俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 稲葉 聡

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 江口 和弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 川崎 博久

  東芝アメリカ電子部品社

• 八木下 淳史

  東芝アメリカ電子部品社

• 石丸 一成

  東芝アメリカ電子部品社

• 児島 学

  富士通研究所

• 齋田 繁彦

  東芝

• 小山 正人

  (株)東芝研究開発センター

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 金井 直樹

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 福井 大伸

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 齋藤 友博

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 中嶋 一明

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠冶

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 飯沼 俊彦

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 村越 篤

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 赤坂 泰志

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 小澤 良夫

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 南幅 学

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松井 之輝

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 尾本 誠一

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 矢野 博之

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• HIEDA Katsuhiko

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 須黒 恭一

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 有門 経敏

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 奥村 勝弥

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井納 和美

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 青山 知憲

  (株)東芝セミコンダクター社

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 中崎 靖

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 中崎 靖

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 犬宮 誠治

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 木下 敦寛

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 長谷川 英司

  Necエレクトロニクス(株)

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 綱島 祥隆

  東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 斎田 繁彦

  東芝

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著作論文

• ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD-2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
• ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
• プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
• ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
• シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
• シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
• 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
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• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
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• テトラクロロシラン-シリコン窒化膜によるボロン突き抜けの抑制および高性能デュアルゲートDRAMの実現
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• 65nmノード世代に向けたHigh-kゲート絶縁膜(HfSiON)のCMOSFET設計(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
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• プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• ED2000-138 / SDM2000-120 / ICD2000-74 ダマシンメタルゲートトランジスタ技術 : しきい値バラツキの低減とソースドレインサリサイドのインテグレーション
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
• プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム

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