西山 彰 | 東京工業大学大学院総合理工学研究科
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概要
関連著者
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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角嶋 邦之
東京工業大学
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岩井 洋
東京工業大学
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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小山 正人
(株)東芝
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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井野 恒洋
東芝
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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角嶋 邦之
東工大総理工
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
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井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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榎本 忠儀
中央大学理工学部
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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佐藤 成生
富士通研究所
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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アヘメト パルハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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鎌田 善己
東芝
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小野 瑞城
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷 卓
日本電気システムデバイス研究所
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由上 二郎
ルネサステクノロジ生産本部
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西山 彰
東芝研究開発センター
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佐藤 成生
富士通研究所先端cmos開発部
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
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榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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松澤 一也
東芝 研究開発センター
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
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有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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江口 和弘
(株)東芝
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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高柳 万里子
東芝セミコンダクター社
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榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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細井 隆司
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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田村 雄太
東京工業大学フロンティア研究機構
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吉原 亮
東京工業大学フロンティア研究機構
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片岡 好則
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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齋藤 友博
東芝 セミコンダクター社
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古賀 淳二
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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吉見 信
株式会社東芝セミコンダクター社
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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寺内 衛
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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西山 彰
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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水野 智久
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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茂森 直澄
東京工業大学フロンティア研究機構
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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AHMET Parhat
東京工業大学フロンティア研究機構
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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須黒 恭一
(株)東芝
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来山 大祐
東京工業大学フロンティア研究機構
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小柳 友常
東京工業大学フロンティア研究機構
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Parhat Ahmet
東京工業大学フロンティア研究機構
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中嶋 一明
東芝
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中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
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丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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井野 恒弘
東芝
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上牟田 雄一
東芝
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小山 正人
東芝
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西山 彰
東芝
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古賀 淳二
東芝 研究開発センター
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犬宮 誠治
東芝
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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土屋 義規
東芝 研究開発センター
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吉木 昌彦
東芝 研究開発センター
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青山 知憲
東芝 セミコンダクター社
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小池 三夫
(株)東芝
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合瀬 路博
(株)東芝
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本郷 智恵
(株)東芝
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鈴木 健
(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
木下 敦寛
(株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリー
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
-
渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
-
佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
綱島 祥隆
(株)東芝
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ザデ ダリューシュ
東京工業大学フロンティア研究機構
-
川那子 高暢
東京工業大学フロンティア研究機構
-
鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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ダリューシュ ザデ
東京工業大学フロンティア研究機構
著作論文
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- アモルファスZrシリケートゲート絶縁膜を用いたGe p-MOSFETの正孔移動度
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- HfSiONその高耐熱性に基づくhigh-kゲート絶縁膜としての期待と残された課題(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 界面物理現象理解に基づいたNi-FUSI/SiON及びHfSiON界面の実効仕事関数制御技術
- 反射電子エネルギー分光法(REELS)によるHfSiO_x膜の評価(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- ジルコニウム窒化膜低温酸化による耐熱性窒素添加ZrO_2ゲート絶縁膜
- Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_ASの界面解析
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案