有隅 修 | (株)東芝 Ulsi研究所

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• 有隅 修

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 有隅 修

  (株)東芝 Ulsi研究所

• 吉見 信

  (株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 寺内 衛

  東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所

• 寺内 衛

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 西山 彰

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  SOITEC Asia

• 松澤 一也

  東芝 研究開発センター

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  (株)東芝 ULSI研究所

• 執行 直之

  (株)東芝 ULSI研究所

• 吉見 信

  東芝 Soc研開セ

• 西山 彰

  (株)東芝 研究開発センター

• 山川 晃司

  (株)東芝セミコンダクター社

• 竹野 史郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 山川 晃司

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 吉岡 正樹

  ウシオ電機株式会社

• 今井 馨太郎

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 有門 経敏

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 大和田 樹志

  ウシオ電機(株)ランプ技術本部

• 奥村 勝弥

  東京大学先端科学技術研究センター

• 山川 晃司

  (株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター

• 鈴木 健

  (株)東芝 ソフトウェアプロダクト部

• 竹野 史郎

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 今井 馨太郎

  東北大学

• 今井 馨太郎

  (株)東芝、研究開発センター、ulsi研究所

• 竹野 史郎

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

• 吉岡 正樹

  ウシオ電機(株)ランプ技術本部

• 有門 経敏

  (株)東芝

• 吉岡 正樹

  ウシオ電機

• 鈴木 健

  (株)東芝研究開発センター環境技術研究所

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著作論文

• フラッシュランプを用いた新しいPZT膜結晶化技術
• ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
• SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性

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