竹野 史郎 | (株)東芝 研究開発センター
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
東芝 研開セ
-
福島 伸
(株)東芝
-
安藤 健
環境技術研究所
-
安藤 健
(株)東芝基礎研究所
-
中村 新一
(株)東芝研究開発センター
-
阿部 和秀
(株)東芝 研究開発センター
-
中村 新一
(株)東芝 研究開発センター
-
安藤 健
東芝 基礎研
-
阿部 和秀
東芝・総合研究所
-
Abe Kazuhide
Material And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Metals And Ceramics Laboratory Toshiba R&amo;d Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Research And Development Center Toshiba Corporation
-
Abe Kazuhide
Materials And Devices Research Laboratories R&d Center Toshiba Corporation
-
阿部 和秀
(株)東芝研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
-
阿部 和秀
(株)東芝
-
山崎 貴司
富士通研究所
-
山崎 貴司
東理大理
-
小松 周一
(株)東芝 研究開発センター
-
福島 伸
東芝総研基礎研
-
安藤 健
東芝総研基礎研
-
田中 成典
東芝 研究開発セ
-
小池 三夫
(株)東芝
-
小池 三夫
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
上杉 文彦
東芝ナノアナリシス(株)
-
鈴木 正道
(株)東芝 研究開発センター
-
田中 成典
東芝総研
-
上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
-
吉木 昌彦
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
富田 充裕
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
土屋 義規
(株)東芝 研究開発センター
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
小山 正人
(株)東芝研究開発センター
-
小松 周一
(株)東芝総合研究所
-
竹野 史郎
株式会社東芝研究開発センター
-
中村 新一
株式会社東芝研究開発センター
-
阿部 和秀
株式会社東芝研究開発センター
-
小松 周一
株式会社東芝研究開発センター
-
田中 成典
東芝総研基礎研
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
中村 新一
東芝 研開セ
-
中村 新一
(株)東芝
-
有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
市原 玲華
(株)東芝研究開発センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
小山 正人
東芝 研究開発センター
-
富田 充裕
株式会社東芝研究開発センター
-
齋藤 真司
(株)東芝 研究開発センター
-
丹生 ひろみ
東芝総研基礎研
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
松澤 一也
東芝 研究開発センター
-
鈴木 健
(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
-
田中 洋毅
(株)東芝研究開発センター
-
竹野 史朗
東芝総研
-
竹野 史郎
東芝総研基礎研究所
-
松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
-
執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
-
福島 伸
東芝総合研究所
-
丹生 ひろみ
東芝総合研究所
-
中村 新一
東芝総合研究所
-
竹野 史郎
東芝総合研究所
-
安藤 健
東芝総合研究所
-
市原 玲華
(株)東芝 研究開発センター
-
吉木 昌彦
(株)東芝 研究開発センター
-
有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
-
出羽 光明
(株)東芝
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
井野 恒洋
東芝
-
小山 正人
(株)東芝
-
鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
田中 洋毅
(株)東芝 研究開発センター
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 半導体デバイス開発におけるTEMの活用 高誘電体膜の場合
- V. デバイス, デバイス材料
- 硬X線光電子分光法を用いた半導体デバイスの分析
- 絶縁膜の結合状態、誘電特性評価法としてのTEM-EELSのポテンシャル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 29p-PS-81 新しいSr-V-O層状酸化物の構造と磁気特性
- 28a-APS-15 Sr-V-O層状ペロブスカイトの構造と磁気異常
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- Bi_Pb_xSr_2CaCu_2O_及びBi_Pb_ySr_2YCu_2O_
- 24aYK-7 CBED法を用いたデバイス中の歪分布測定(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aYM-10 デバイス中の不鮮明なHOLZ線の解析(X線・粒子線(中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- Ba_Sr_TiO_3/SrRuO_3キャパシタの膜微細構造
- 分析電子顕微鏡による半導体材料の評価