松澤 一也 | 東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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吉見 信
SOITEC Asia
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松澤 一也
東芝 研究開発センター
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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井納 和美
東芝 システムLSI開発センター
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勝又 康弘
東芝 システムLSI開発センター
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吉見 信
東芝 システムLSI開発センター
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石内 秀美
東芝 システムLSI開発センター
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鈴木 健
(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
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竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
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鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
著作論文
- チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性