川中 繁 | 東芝 システムLSI開発センター
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概要
関連著者
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
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渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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鴨志田 昌弘
(株)東芝SoC研究開発センター
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大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
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鴨志田 昌弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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太田 雅子
東芝セミコンダクター社
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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吉田 尊
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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藤原 実
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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東 篤志
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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東 篤志
東芝セミコンダクター社
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松原 玄宗
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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東 篤志
東芝
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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石内 秀美
(株)東芝
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吉田 晋一
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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外園 明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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中島 博臣
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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新居 英明
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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篠 智彰
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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井納 和美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
中島 博臣
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
幸山 裕亮
株式会社東芝セミコンダクター社
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
辻井 秀二
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
-
辻井 秀二
株式会社東芝
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井納 和美
株式会社東芝
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豊島 義明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
-
外園 明
株式会社東芝セミコンダクター&ストレージ社
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渡辺 重佳
東芝研究開発センター
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山田 敬
東芝研究開発センター
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川中 繁
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
恩賀 伸二
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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岡田 多佳子
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉岡 晋一
(株)東芝
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松澤 一也
東芝 研究開発センター
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井納 和美
東芝 システムLSI開発センター
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勝又 康弘
東芝 システムLSI開発センター
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吉見 信
東芝 システムLSI開発センター
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石内 秀美
東芝 システムLSI開発センター
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川中 繁
東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部
著作論文
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 高速低消費電力SOI技術 (特集 先端半導体デバイス技術)
- 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- シミュレーションを用いた微小MOSFETにおける寄生抵抗の解析および抽出方法の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- 90nmノード高性能部分空乏型SOI CMOSデバイス