大脇 幸人 | (株)東芝 セミコンダクター社
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概要
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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大脇 幸人
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(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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川中 繁
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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株式会社東芝セミコンダクター社
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(株)東芝 ULSI研究所
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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(株)東芝セミコンダクター社
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国島 巌
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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(株)東芝半導体研究開発センター
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(株)東芝半導体研究開発センター
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国島 巌
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東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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大脇 幸人
東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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(株)東芝SoC研究開発センター
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(株)東芝システムLSI第一事業部
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北原 健
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高木 信一
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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濱田 基嗣
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高島 大三郎
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株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝セミコンダクター社
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(株)東芝セミコンダクター社
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高島 大三郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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土田 賢二
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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白武 慎一郎
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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稲場 恒夫
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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太田 雅子
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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大脇 幸人
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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大内 和則
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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松永 準一
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所 東芝研究開発センター
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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高島 大三部
(株)東芝ULSI研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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土田 賢二
株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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株式会社東芝東芝アメリカ電子部品
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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株式会社東芝研究開発センター
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渡辺 重佳
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西川 剛志
東芝セミコンダクター社
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東芝セミコンダクター社
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北庄 良行
東芝セミコンダクター社
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稗田 克彦
東芝アメリカ電子部品
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原 央
株式会社 東芝 研究開発センター
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中野 浩明
東芝研究開発センター
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大内 和則
東芝研究開発センター
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荻原 隆
東芝研究開発センター
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太田 雅子
東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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山田 敬
東芝研究開発センター
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東芝研究開発センター
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株式会社東芝soc研究開発センター
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吉岡 晋一
(株)東芝
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テー チェンコン
(株)東芝SoC研究開発センター
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菊池 遊
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白武 慎一郎
東芝セミコンダクター社
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濱田 基嗣
東芝セミコンダクター社
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原 浩幸
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東芝セミコンダクター社
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河邉 直之
東芝セミコンダクター社
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大脇 幸人
東芝セミコンダクター社
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舛岡 富士雄
東芝研究開発センタ
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堀口 文男
東芝
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南 文裕
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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村方 正美
(株)東芝半導体設計・評価技術セター
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國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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原 浩幸
(株)東芝 半導体技術研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
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石橋 茂
東芝
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高橋 真史
東芝セミコンダクター社
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濱田 基嗣
(株)東芝
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大脇 幸人
株式会社東芝
著作論文
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- クロスポイント型セルに対応した2層ビット線構造をもつDRAM array
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- SGTトランジスタを用いたギガビットDRAMの設計
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- NAND型DRAMにおける折り返しビット線方式の検討
- NAND型セルを用いた256Mb DRAM
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- コンディショナルクロッキングF/Fの低電力H.264/MPEG-4オーディオ/ビデオコーデックへの応用(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- モジュールの電圧/周波数を動的に制御したH.264/MPEG-4 Audio/Visual Codec LSI(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- 新不揮発性メモリChainFeRAM (特集2 モバイル・ネットワーク時代のメモリLSI--ネットワーク機器の実現に,多様な製品でこたえる)
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- 64MビットDRAM基礎技術 (集積回路)