大脇 幸人 | (株)東芝 ULSI研究所
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概要
関連著者
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
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(株)東芝技術企画室
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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(株)東芝SoC研究開発センター
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鴨志田 昌弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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太田 雅子
東芝セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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吉田 尊
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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中村 雅一
(株)東レリサーチセンター表面科学研究部
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松沢 一也
(株)半導体理工学研究センター(STARC)
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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松沢 一也
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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大脇 幸人
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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水島 一郎
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
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國島 巌
株式会社東芝セミコンダクター社
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国島 巌
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹中 博幸
(株)東芝マイクロエレクトロニクス
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田中 真一
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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竹中 博幸
東芝マイクロエレクトロニクス(株)
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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川口谷 ひとみ
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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須之内 一正
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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国島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
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田中 真一
(株)東芝
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吉田 晋一
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
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沼田 敏典
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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沼田 敏典
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター
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首藤 容子
(株)東芝 ULSI研究所
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尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
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稲場 恒夫
(株)東芝ULSI研究所
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高島 大三部
(株)東芝ULSI研究所
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高橋 真史
(株)東芝システムlsi第一事業部
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西川 剛志
(株)東芝システムlsi第一事業部
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藤田 哲也
東芝セミコンダクター社
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藤田 哲也
(株)東芝soc研究開発センター
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吉岡 晋一
(株)東芝
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濱田 基嗣
(株)東芝SoC研究開発センター
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原 浩幸
(株)東芝SoC研究開発センター
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テー チェンコン
(株)東芝SoC研究開発センター
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島澤 貴美
(株)東芝SoC研究開発センター
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河邉 直之
(株)東芝システムLSI第一事業部
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北原 健
(株)東芝システムLSI第一事業部
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菊池 遊
(株)東芝システムLSI第一事業部
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北原 健
東芝セミコンダクター社
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原 浩幸
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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濱田 基嗣
東芝 Soc研究開発セ
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稲場 恒夫
(株)東芝半導体研究開発センター
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原 浩幸
(株)東芝 半導体技術研究所
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濱田 基嗣
(株)東芝
著作論文
- 高速アナログ/ディジタル回路用高精度疑似飽和BJTモデル
- 1トランジスタ/1キャパシタ型及びGAINセル型Chain FRAMの設計法
- 高速不揮発性メモリChain FRAMの設計法
- 高速、高密度Chain FRAMの設計
- 大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
- 低消費電力DRAMを実現する1/4 Vccビット線振幅方式
- 超低スタンドバイ電流DRAMの検討
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造
- SCM測定のシミュレーション解析
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- コンディショナルクロッキングF/Fの低電力H.264/MPEG-4オーディオ/ビデオコーデックへの応用(回路技術(一般, 超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- SCM測定のシミュレーション解析
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位オーバーバイアス方式を用いた0.5V動作サブ0.1um高速低消費電力技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- 完全空乏型SOI MOSFETにおけるSOI膜厚変動によるしきい値ばらつきの抑制構造