SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
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概要
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ボディ電位を制御したSOI MOSFETを用いて、0.5V動作が可能な超低消費電力CMOSバスゲートロジックを開発した。このロジックは、ゲートとボディを接続したSOIバスゲートとコンプリメンタりーな2線入力信号でボディ電位を制御したCMOSバッファから構成されている。このロジックを用いた全加算器は、 SOI MOSFETを用いたCPL (Complementary Pass-Gate Logic)に対し、約1/2に最適化された素子寸法で最小動作電圧を27%改善した。16×l6ビット乗算器では、50pFのI/Oを含み70pJの電力遅延積を達成した。これは従来のバルクMOSFETを用いたCPLに比べ、1桁以上小さい値である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-21
著者
-
布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
布施 常明
東芝セミコンダクター社
-
松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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